对于补充问题：首先来说cmos工艺中出现这个光刻栅长也是对应于cmos制作中在光刻步骤中由于无论是用电子束光刻，还是深紫外光刻，都会发生衍射的问题演化出来的,光刻栅长，无论是用电子束光刻，还是深紫外光刻，都会发生衍射，相当于光栅实际长度根物理长度不等光蚀刻的尺度为什么与光的波长相关而不是与光的振幅相关。
光刻胶的作用光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的，以后才用于电子工业。光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比结果示意图利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型
振幅与光源能量有关，能量越大，振幅越大。振幅是指振动的物理量可能达到的最大值，通常以A表示。它是表示振动的范围和强度的物理量。在机械振动中，振幅是物体振动时离开平衡位置最大位移的绝对值，振幅在数值上等于最大位移的大小。振幅是标量，单位用米或厘米表示。振幅描述了物体振动幅度的大小和振动的强弱。在交流电路中，电流振幅或电压振幅是指电流或电压变化的最大值，也叫电压或电流的峰值。在声振动中，振幅是声压与静止压强之差的最大值。声波的振幅以分贝为单位。声波振幅的大小能够决定音强。简谐振动的振幅是不变的，它是由谐振动的初始条件决定的常数。谐振动的能量与振幅平方成正比。因此，振幅的平方可作为谐振动强度的标志。强迫振动的稳定阶段振幅也是一个常数，阻尼振动的振幅是逐渐减小的
3、“光刻栅长”与“物理栅长”的区别是什么?对于补充问题：首先来说cmos工艺中出现这个光刻栅长也是对应于cmos制作中在光刻步骤中由于无论是用电子束光刻，还是深紫外光刻，都会发生衍射的问题演化出来的。所以光刻出来的栅长要不实际的大，而物理栅长应该是指参数所要求的栅长。这涉及到半导体制造工艺，你要是搞cmos的应该知道阿。物理栅长是光栅孔径的绝对长度，光刻栅长，无论是用电子束光刻，还是深紫外光刻，都会发生衍射，相当于光栅实际长度根物理长度不。
