光刻技术光刻技术

光刻中什么i线和g线指的是波长，i线是指365nm，g线是指436nm，高压汞灯中能量最高的两个谱线。波长越短，光刻分辨率越高。任务占坑2，光刻技术一种将掩膜版的图形转移到衬底表面的图形复制技术，光刻得到的图形一般作为后续工艺的掩膜。（光致刻蚀剂）是由高分子聚合物、增感剂、溶剂以及其他添加剂组成的混合物，在一定波长的光照射下，高分子聚合物的结构会发生改变。正胶显影液：碱金属水溶液，如NaOH/NH4OH/TMAH负胶显影液：有机溶剂，如二甲苯等氧化层上的正胶：硫酸：双氧水=3:1金属上的正胶：有机溶剂...