光刻技术，光刻中什么i线和g线

1，光刻中什么i线和g线

指的是波长，i线是指365nm，g线是指436nm，高压汞灯中能量最高的两个谱线。波长越短，光刻分辨率越高。

任务占坑

光刻中什么i线和g线

2，光刻技术

一种将掩膜版的图形转移到衬底表面的图形复制技术，光刻得到的图形一般作为后续工艺的掩膜。（光致刻蚀剂）是由高分子聚合物、增感剂、溶剂以及其他添加剂组成的混合物，在一定波长的光照射下，高分子聚合物的结构会发生改变。正胶显影液：碱金属水溶液，如NaOH/NH4OH/TMAH 负胶显影液：有机溶剂，如二甲苯等氧化层上的正胶：硫酸：双氧水=3:1 金属上的正胶：有机溶剂，如丙酮氧化层上的负胶：硫酸：双氧水=3:1 金属上的负胶：氯化物溶剂变性的光刻胶（如作为注入或刻蚀掩膜的光刻胶层）：氧等离子体 0.粘附性处理：硅片暴露在六甲基二硅胺烷HMDS蒸汽中，增加光刻胶与硅片的粘附强度 1.匀胶：硅片真空吸附在离心式匀胶机上高速旋转，把滴在硅片表面的光刻胶涂覆均匀 2.前烘：加热蒸发光刻胶部分溶剂，使光刻胶层初步固化 3.对准和曝光：转移图形 4.显影：把硅片放在显影液中溶解去掉正胶光照部分或者负胶非光照部分 5.后烘：加热硅片使光刻胶中的溶剂进一步蒸发，提高掩膜效果

光刻技术

3，光刻技术的种类及介绍

你可以参看这些资料http://baike.baidu.com/view/359979.htm?fr=ala0_1http://baike.baidu.com/view/1117847.htm

我不会~~~但还是要微笑~~~：）

光刻技术的种类及介绍

4，光刻技术的原理是什么

概述RDJ-I正型光刻胶是液晶显示器用正性光刻胶，可同时适用于TN/STN/FTN LCD、VFD制作，具有高感度，高粘附性，高分辨率，良好的涂布性能等优点。RDJ-I正型光刻胶采用环保溶剂。RDJ-I正型光刻胶一般规格有30mpa.s，40mpa.s，50 mpa.s，使用时可根据需要稀释成不同固含量和粘度。技术指标如下表：颜色砖红色粘度(25℃,VT-04E/F) 20-50 mpa.s基板 ITO玻璃(30Ω)涂膜厚度 1.3—1.8um前烤 100x90sec(热板)曝光 60-100mj/cm2显影 0.8% KOHx60sec后烤热板120℃×120sec蚀刻 HNO3:HCl:H2O=4：23：73@40℃剥离 4%NaOH@50℃×120sec贮存期限（25℃以下暗处贮存） 6个月操作工艺参数：1．涂布：23℃，辊涂，膜厚1.1-1.8μm；2．前烤：100℃x90sec(热板)，烤道100℃3—5分钟；3．曝光：90mj/cm2；4．显影：23℃，0.4% NaOH，1min，喷淋或浸渍；5．后烤：热板120℃×120sec，烤120℃,3-5分钟；6．蚀刻：45℃，FeCl3/HCl或HNO3/ HCl；7．剥离：23℃ 4-6% NaOH

5，光刻机的介绍

光刻机/紫外曝光机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography（光刻）意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

相信自己的判断吧再看看别人怎么说的。

6，光刻机中国能造吗

暂时不能光刻机不是一项单一的技术，而是现代各项高科技技术的集成，成品背后需要无数的产业链支持，以中国现在的科技水平暂时还不能造出。当中国专家去荷兰阿斯麦尔公司参观光刻机的时候，阿斯麦尔的高管直接对中国的专家说：就算给你全套图纸，你们中国也造不出光刻机。很多中国人听到这句话都非常的气愤，凭什么中国就造不出光刻机？近年来关于国产光刻机弯道超车的新闻频繁在各类媒体中出现，国人想要在光刻机技术上超越欧美发达国家的爱国情怀可以理解，但部分媒体为了博取眼球对国产光刻机过分的吹捧，不尊重事实的报道对普通大众而言其实是一件特别不负责任的事情。理想很丰满，现实很骨感，以中国现在的科技水平确实造不出光刻机，光刻机不是一项单一的技术，而是现代各项高科技技术的集成，光刻机的内部十分复杂，可以说是人类知识集大成的产物之一，光刻机就像手机和汽车一样，是由无数的零配件组装合成的，最终实现某种功能，成品背后需要无数的产业链支持，各式各样的零配件都是行业内顶级的技术体现，没有长时间的深耕运作，国产光刻机在单一的某项技术上实现领先是没问题的，但是想要在整体上实现弯道超车，基本上不现实。举个例子：比如马拉松长跑比赛，第二名与第一名的差距相差3公里，在某一个时间段，第二名选手的速度超过了第一名选手，这仅仅代表着第二名选手最终有超越第一名选手的可能，但是3公里路程的巨大差距却不是一时半会可以赶上的，想要超越，时间跨度将非常大，因为你在努力向前跑的同时对手也在努力向前跑。荷兰阿斯麦尔之所以能够垄断全球最顶尖的光刻机市场，不是因为荷兰人聪明，单纯靠荷兰人也研发不出光刻机，光刻机的研发集合了全球优势资源加上半导体几十年的技术积累，最终在数以万计的专业的顶尖研发人员不断技术突破下才成功，荷兰的幸运在于目前只有荷兰掌握光刻机最核心的技术“侵入式光刻技术”，所以现在顶级光刻机只有荷兰有能力生产。技术是研发的外在体现，任何技术的突破都是厚积薄发的结果，光刻机需要的技术方向特别多，比如机械化层面，自动化层面，系统科学层面等一大堆方向都需要有人去攻关，有些地方是知道技术壁垒的，但是如何突破技术壁垒还没有头绪，有些地方连技术壁垒在什么地方都没找到，更别谈技术突破了，而且任何一项技术的突破都需要长年累月技术投入，资金投入，人员投入。技术积累并不是钱能够解决的，目前国内在光刻机领域做得比较好的是上海微电子装备和中科院的某个研究所，它们目前还停留在90nm研发产品阶段，而荷兰阿斯麦尔7nm的光刻机已经实现量产，当然这并不代表国产光刻机没有超越的机会，目前国内对光刻机的重视程度越来越高，大量的资金和顶尖的人才都在光刻机领域深耕研究。国产光刻机其实只要在某些关键技术上取得突破，就算得上是弯道超车了，就好比荷兰阿斯麦尔在光刻机“侵入式光刻技术”上领先全球一样，没有这项关键性技术，就无法制造更顶级的光刻机，所以目前只有荷兰才有资格制造顶级光刻机。

7，光刻机和刻蚀机的区别

刻蚀相对光刻要容易。光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。扩展资料：光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动1.手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；2.半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；3.自动：指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。参考资料：搜狗百科-光刻机，搜狗百科-刻蚀

我打个比方吧，光刻相当于制作模板，刻蚀相当于按照模板去刻印东西。光刻指的是将光刻胶铺在光刻板上，然后对着光刻板用某种光线（紫外光、红外光等）有选择性的去照射光刻胶，光刻胶有正性光刻胶和负性光刻胶两种。刻蚀是指将已经光刻后的光刻胶+光刻板用溶液冲洗，如果是正性光刻胶，被光照射的部分则会被清洗掉，如果是负性光刻胶，未被光照射的地方则会被清洗掉，清洗完就会出现想要的形状

刻蚀相对光刻要容易。光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分

光刻机和刻蚀机的区别主要表现为3各个方面：一、难易度：光刻机难度大，刻蚀机难度小二、原理：光刻机把图案印上去，刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案/无图的部分，留下剩余的部分。三、工艺操作不同（1）、光刻机：利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将掩膜版上的电路图形传递到单晶的表面或介质层上，形成有效的图形窗口或功能图形。由于在晶圆的表面上，电路设计图案直接由光刻技术决定，因此光刻工艺也是芯片制造中最核心的环节。（2）、刻蚀机：用化学和物理方法，在经显影后的电路图永久和精确地留在晶圆上，选择性的去除硅片上不需要的材料。刻蚀工艺的方法有两大类，湿法蚀刻和干法蚀刻。扩展资料：光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。参考资料：搜狗百科-等离子蚀刻机搜狗百科-光刻机