沟道

用电场偏移来解释导电沟道的厚度变化有点牵强,如果用MOS晶体管的对称性来解释，就很好理解了，因为当Vgs=Vth时，沟道准备导通，所以栅极右边的漏极和左边的源极是对称的,如果垂直向下用Vgs电场，水平向左用Vds电场，后一种电场如何抵消垂直电场,因此，电压取决于Vgd对通道的影响,中频Vgd。1、N沟道增强型MOS管1.为什么Uds增大到时Ugd=Ugs(th如果垂直向下用Vgs电场，水平向左用Vds电场，后一种电场如何抵消垂直电场？用电场偏移来解释导电沟道的厚度变化有点牵强。如果用MOS晶体管的对称性来...