其他电子对被选择电子的屏蔽作用的效果称为屏蔽效应；由于电子的角量子数L不同，其概率的径向分布也不同，电子钻近原子核概率较高的被原子核吸引，所以能量不同的现象称为电子钻效应,所谓屏蔽吸收是指金属屏蔽体与防雷系统之间的等电位连接，使屏蔽体与漏电地的引下线和接地体等电位，相当于漏电地。
防雷屏蔽技术雷电感应和雷电波侵入引起的雷电电磁脉冲主要以场和电路耦合两种形式影响设备。屏蔽技术是减少干扰的基本措施(场形式)。因为施加在设备上的电磁干扰和过电压能量可以通过金属屏蔽体吸收或反射的方法衰减。所谓屏蔽吸收是指金属屏蔽体与防雷系统之间的等电位连接，使屏蔽体与漏电地的引下线和接地体等电位，相当于漏电地。所谓屏蔽反射是指雷电电磁波在线路传输中经常发生突变的情况。比如雷电电磁波从高波阻抗的架空线进入低波阻抗的电缆，在线路的中间或末端连接电阻、电感、电容或非线性元件(这些就是俗称的集总参数)。雷电电磁波会在参数突变的边界处发生折射和反射，理论上可以证明。
定义如下:1。对于屏蔽右边的电子，这个电子的常数o = 0；2.1s轨道上两个电子的互屏蔽常数o = 0.3，同一轨道上其他电子的o = 0.353.如果电子是ns或np电子，对于n-1轨道的电子，O = 0.85，对于其他内层的每个电子，O = 1；4.如果电子是nd或nf，它左边的电子有o=1。
原子核外电子的平均距离离原子核越远，原子受其他电子的屏蔽影响越小。其他电子对被选择电子的屏蔽作用的效果称为屏蔽效应；由于电子的角量子数L不同，其概率的径向分布也不同，电子钻近原子核概率较高的被原子核吸引，所以能量不同的现象称为电子钻效应。(1)当N不同时，L相同时，N越大，电子离原子核的平均距离越远，因此原子中的其他电子对其屏蔽的影响越大，即σ值越大，能量越高。所以e1s < e2s < e3s < e4s。(2)当n相同，L不同时，L越小，电子穿透越大效应，电子钻越深，核引力越强，其他电子对它的作用越小屏蔽，其能量越低。所以e3s < e3p < e3d。(3)在多电子原子中，电子在4s轨道的穿透力大于3s轨道效应，可以更好地避开其他电子的屏蔽。4s轨道的主量子数虽然比3d多1，但比角量子数少2，其贯穿效应增加比主量子数对降低轨道能量的作用更大。所以E4s {3。
