bvCEO=25VICM=1500MAPCM=1WFT=100MHz，可替换为BC363或3CK10E,8050是NPN硅管，参数:bvcbo=40v，bvceo=25v，I=1.5a，p=1w,8550是硅PNP中的功率晶体管,基极控制电流低8050三极管容易烧坏,8050和8550是常用管道。
8050和8550是常用管道。8050是NPN硅管，参数:bvcbo = 40v，bvceo = 25v，I = 1.5a，p = 1w。此管参数:可以用国产管3DA28B代替。8550是硅PNP中的功率晶体管。bv CEO = 25 VICM = 1500 MAPCM = 1 WFT = 100 MHz，可替换为BC363或3CK10E。
开关频率:每秒钟可以完全开启和关闭的次数。每一个晶体管都有它的频率特性，也就是说它能以每秒最高的次数开关，也就是它的开关速度，在选择的时候不能超过它的最高频率。
基极控制电流低8050三极管容易烧坏？这句话不对。三极管的基极电流很小，所以能让电子管烧起来的一定是电子管上很大的耗散功率。并且这种大的耗散功率决不可能是由于小的基极电流。相反，基极电流过大是晶体管烧毁的原因之一。正常三级晶体管上的耗散功率为P=Ic*VceIc是三极管集电极的电流(基极电流很小，与发射极电流大致相同)Vce是三极管集电极和发射极的电压。
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