禁带宽度，怎么从荧光光谱图中分析禁带宽度

1，怎么从荧光光谱图中分析禁带宽度

我用紫外可见近红外光谱的到我的薄膜样品的吸收光谱,想要算材料的禁带宽度,在用外推法时,横坐标能量的转化我懂了,但是纵坐标我不知道怎么得到,尤其

请详细描述三维荧光光谱图中三个坐标轴分别表示什么物理量

怎么从荧光光谱图中分析禁带宽度

2，薄膜禁带宽度计算

带隙3.25？你有可能透过率没除100。origin文件： http://115.com/file/cl1cn7ih

1、数据里有透射率T大于100%的，不合理。但应该不会太影响结果。2、材料如果是直接带隙的，以(α*hv)2(平方)为Y轴是对的；若间接带隙应该以(α*hv)1/2 (1/2次方)为Y轴。3、图中的切线还不错了。我见过比这还差劲的。

薄膜禁带宽度计算

3，关于计算禁带宽度

1.这个图正确的应该是（ahv）^2~hv的曲线图，其中a为吸收系数，a=-1/d*lnT,d为厚度（一般测禁带宽度时，使用的是薄膜样品，所以d即为膜厚）；2.图中的直线并不是直接通过测试的数据得到的，而是先画出（ahv）^2~hv的曲线图后，采用外推法，在曲线的拐点处做切线，外推至x轴，即f（（ahv）^2）=0时，该直线与x轴交点处的值，即为该样品的禁带宽度。这就是你图中所对应的3点几eV;3.hv是光子能量，不是禁带宽度，在这个图中，只表示的是曲线部分的横坐标，与直线无关O(∩_∩)O~。4.大概就这些，详细的内容，楼主可以查阅一下到江大论坛网站查看回答详情>>

关于计算禁带宽度

4，怎么求禁带宽度

很多材料的禁带宽度都是已知的，可以直接查找，如果是对于未知的材料通过计算来求禁带宽度的话，需要计算材料的电子结构，然后判断出导带和禁带的位置，它们之间的最小间距就是禁带宽度

禁带宽度是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。硅的禁带宽度为0.8ev,砷化镓比他高得多（具体不记得了，大概是一点几还是二点几）。禁带非常窄就成为金属了，反之则成为绝缘体。半导体的反向耐压，正向压降都合禁带宽度攸关。