硅片粘合和解离深圳，朋友们谁有能化解黏硅片胶的试剂

来源：整理时间：2023-04-26 05:22:15 编辑：深圳生活手机版

本文目录一览

1，朋友们谁有能化解黏硅片胶的试剂
2，一般硅片的掺杂浓度和深度怎么测量
3，正面长有氮化硅Si3N4的硅片怎样去除硅片背面的薄淡化硅层
4，多晶硅片在分选过程中出现粘胶面中间硅粉脱落清洗过程中看不出
5，P型硅片上扩磷结深的问题请教

1，朋友们谁有能化解黏硅片胶的试剂

那是环氧胶水，不耐酸碱和高温，可以让它失效，你要融化它，只能买很强力的酸，而且融化起来极其缓慢的，很费钱的

你说呢...

朋友们谁有能化解黏硅片胶的试剂

2，一般硅片的掺杂浓度和深度怎么测量

xps可以的吧，测一遍用离子刻蚀一层再测，不过刻蚀的厚度是相对于Ta2O5的刻蚀速率做参照的，所以厚度和十几样品的厚度可能会有一点误差，可以做透射电镜样品进行观察，结果更为直观。

一般硅片的掺杂浓度和深度怎么测量

3，正面长有氮化硅Si3N4的硅片怎样去除硅片背面的薄淡化硅层

为什么要用氮化硅呢？直接用硅片不就可以了么硅片的衬底是可以直接做栅极的

正面长有氮化硅Si3N4的硅片怎样去除硅片背面的薄淡化硅层

4，多晶硅片在分选过程中出现粘胶面中间硅粉脱落清洗过程中看不出

当你的硅棒被线切割后，其底部有残余铸锭，这是将棒料放置到水槽中，用普通自来水少高压，冲洗，冲洗时沿着片子的外边缘，来回走两遍，然后放在一边，再用再一次冲洗，这样就没问题了，和你的铸锭没有关系，是清洗的方法不对，我是一个研发人员，如贵公司需要清洗后的设备，比如硅片的分片，等自动化设备，可以提供技术支持

5，P型硅片上扩磷结深的问题请教

在P型上扩散N型，就是使P型反型成N型，使用液态三氯氧磷高温扩散（你的工艺允许高温扩散吗？），然后再进行短时间的高温推结，但是这里有个结深的控制问题，实际操作可能比较难，要控制的比较准确的话，，尤其是结深只有5Um（如果结深的精确度要求不高，实际操作还是很容易的）。然后你再涂布抗碱性光阻，腐蚀掉不需要的n型硅，这里的腐蚀控制也是一大问题，主要是精度的控制（可以试制合理的腐蚀溶液），如果你用湿法腐蚀估计很难，如果用干法刻蚀估计还行。主要还是看你的工艺设备。如果你有注入机和干法刻蚀机，实际操作起来还是可行的。

掩膜遮蔽下返蚀确实是个问题，湿法腐蚀可能较难做到一致性。12楼中图片中的流程是外国人提出来的ideas，产业化与否，还不得而知...扩P如果要个把小时，那比现在制造太阳能电池的扩P时间长多了，划不来的...

你是直接扩散，还在在上面长膜来扩散呢？要是直接扩散的话很简单的，用三氯氧磷直接扩就是了，要是长膜的话就要考虑压力对他的U%的均匀性了！

高温下根据扩散原理估计几分钟搞定，扩散源任意。最好选一些浓度较高的，比较均匀。

固态源扩散很容易实现,我们做过P型硅片生产双向触发管,相对时间较长的那种,

在P型硅片上扩磷（三氯氧磷），深度为5um，然后在其表面上做耐碱掩膜；然后放到稀释的NaOH溶液中腐蚀（制绒），期望腐蚀掉没有覆盖掩膜的n型层，腐蚀深度小于5个微米（以保留住pn结）；估计可控性和重复性较差吧？